IRF540NPBF, Транзистор, N-канал 100В 33А [TO-220AB]

IRF540NPBF, Транзистор, N-канал 100В 33А [TO-220AB]

Описание N-канальный силовой полевой МОП-транзистор 100 В, Infineon Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов с полевыми транзисторами HEXFET® от Infineon включает N-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах. И форм-факторы, которые могут решить практически любую проблему компоновки платы и теплового дизайна. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы. Технические параметры Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 33 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.044 Ом/16А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 120 Крутизна характеристики, S 21 Корпус TO-220AB Пороговое напряжение на затворе 2…4 Максимальная Рабочая Температура 175 C Количество Выводов 3вывод(-ов) Стиль Корпуса Транзистора TO-220AB Рассеиваемая Мощность 130Вт Полярность Транзистора N Канал Напряжение Истока-стока Vds 100В Непрерывный Ток Стока 33А Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.044Ом Напряжение Измерения Rds(on) 10В Пороговое Напряжение Vgs 4В Вес, г 2.5