Силовой IGBT-модуль для Hypertherm

Силовой IGBT-модуль для Hypertherm

Тип модуля: IGBT Конструкция диода: транзистор Топология полумост: IGBT Обратное напряжение макс.: 1.2кВ Ток коллектора: 160А Импульсный ток: 300А Корпус: SEMITRANS3 Версия: D56 Электрический монтаж: винтами Монтаж: винтами Рабочая температура: -40...125°C Напряжение затвор - эмиттер: ±20В Другие названия этого товара: SKM 200 GB 125 D SKM 200GB125D Аналоги товара: MG1250S-BA1MM@LITFUSE MG1275S-BA1MM@LITFUSE SKM100GB125DN@SEMIKRON SKM150GAL12T4@SEMIKRON SKM150GAL12V@SEMIKRON SKM150GAR12T4@SEMIKRON SKM150GB12T4@SEMIKRON SKM150GB12T4G@SEMIKRON SKM150GB12VG@SEMIKRON SKM200GB126D@SEMIKRON