phone_in_talk 8(800) 550-49-18
place г. Санкт-Петербург, ул. Вавиловых, д. 13 к.1
phone_in_talk 8(800) 550-49-18
г. Санкт-Петербург, ул. Вавиловых, д. 13 к.1

GT50JR22(STA1,E,S), Транзистор, IGBT Chip N-CH 600В 50А 230Вт [TO-3PN]

  • GT50JR22(STA1,E,S), Транзистор, IGBT Chip N-CH 600В 50А 230Вт [TO-3PN]
  • 330р.


GT50JR22(STA1,E,S), Транзистор, IGBT Chip N-CH 600В 50А 230Вт [TO-3PN]

IGBT Discretes, Toshiba Технические параметры Наличие встроенного диода да Максимальное напряжение КЭ ,В 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A 50 Импульсный ток коллектора (Icm), А 100 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.55 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 230 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 250 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 330 Рабочая температура (Tj), °C -55…+175 Корпус to-3p(n) Вес, г 6.5
Вы также можете произвести установку или ремонт GT50JR22(STA1,E,S), Транзистор, IGBT Chip N-CH 600В 50А 230Вт [TO-3PN] в нашем сервисном центре. Стоимость услуг по установке:
Замена комплектующих:
Вентиляторы от 650 р.
Реле от 650 р.
Платы управления от 1250 р.
Подающие механизмы от 1950 р.

Более подробную информацию о стоимости ремонта и цене на запасные части производитель, Вы можете уточнить по телефону

8 800 550-49-18

Написать отзыв

Примечание: HTML разметка не поддерживается! Используйте обычный текст.
  Хорошо     Плохо 
Защита от роботов