GT50JR22(STA1,E,S), Транзистор, IGBT Chip N-CH 600В 50А 230Вт [TO-3PN]
IGBT Discretes, Toshiba
Технические параметры
Наличие встроенного диода да
Максимальное напряжение КЭ ,В 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 50
Импульсный ток коллектора (Icm), А 100
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.55
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 230
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 250
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 330
Рабочая температура (Tj), °C -55…+175
Корпус to-3p(n)
Вес, г 6.5
.png "Сервис Сварки"){kind=logo}
.png "Сервис Сварки"){kind=logo}
![GT50JR22(STA1,E,S), Транзистор, IGBT Chip N-CH 600В 50А 230Вт [TO-3PN]](https://svartonservice.ru/image/cache/catalog/tovar/688-500x500.jpg "GT50JR22(STA1,E,S), Транзистор, IGBT Chip N-CH 600В 50А 230Вт [TO-3PN]")
