FDP8896, MOSFET

FDP8896, MOSFET

Технические параметры Максимальная рабочая температура +175 °C Максимальный непрерывный ток стока 16 A Тип корпуса TO-220AB Максимальное рассеяние мощности 80 W Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия Ширина 4.83мм Высота 9.4мм Размеры 10.67 x 4.83 x 9.4мм Материал транзистора Кремний Количество элементов на ИС 1 Длина 10.67мм Transistor Configuration Одинарный Типичное время задержки включения 9 нс Производитель ON Semiconductor Типичное время задержки выключения 56 нс Серия PowerTrench Минимальная рабочая температура -55 °C Minimum Gate Threshold Voltage 1.2V Максимальное сопротивление сток-исток 6 мΩ Максимальное напряжение сток-исток 30 V Число контактов 3 Категория Мощный МОП-транзистор Типичный заряд затвора при Vgs 48 nC @ 10 V Номер канала Поднятие Типичная входная емкость при Vds 2525 пФ при 15 В Тип канала N Максимальное напряжение затвор-исток -20 В, +20 В