GT50JR22(STA1,E,S), Транзистор, IGBT Chip N-CH 600В 50А 230Вт [TO-3PN]
IGBT Discretes, Toshiba Технические параметры Наличие встроенного диода да Максимальное напряжение КЭ ,В 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A 50 Импульсный ток коллектора (Icm), А 100 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.55 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 230 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 250 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 330 Рабочая температура (Tj), °C -55…+175 Корпус to-3p(n) Вес, г 6.5
Вы также можете произвести установку или ремонт GT50JR22(STA1,E,S), Транзистор, IGBT Chip N-CH 600В 50А 230Вт [TO-3PN] в нашем сервисном центре.
Стоимость услуг по установке:
Замена комплектующих: | |
Вентиляторы | от 650 р. |
Реле | от 650 р. |
Платы управления | от 1250 р. |
Подающие механизмы | от 1950 р. |
Более подробную информацию о стоимости ремонта и цене на запасные части производитель, Вы можете уточнить по телефону
8 800 550-49-18